Uma nova tecnologia descoberta por pesquisadores de Taiwan, em parceria com a Universidade de Berkeley, na Califórnia, deve proporcionar um grande salto no desenvolvimento de memórias. Os cientistas conseguiram criar um dispositivo capaz de exceder a velocidade dos modelos atuais em até cem vezes.
De acordo com um artigo publicado na Applied Physics Letters, o dispositivo utiliza um material não condutor que integra nanopontos de silício alinhados de maneira horizontal. Cada um dos pontos tem três nanômetros de diâmetro e representa um bit de memória único.
O artigo menciona ainda que a tensão de funcionamento do dispositivo de memória não volátil é de 7 volts e a velocidade com que os nanopontos são apagados é inferior a 1 microssegundo. Os materiais e os processos utilizados para os dispositivos são compatíveis com os existentes na atualidade e também podem ser empregados em outras estruturas avançadas.
Leia mais em: http://www.tecmundo.com.br/memoria/22432-nova-tecnologia-de-memoria-pode-ser-ate-100-vezes-mais-rapida-do-que-os-modelos-atuais.htm#ixzz1scLw7cTT
De acordo com um artigo publicado na Applied Physics Letters, o dispositivo utiliza um material não condutor que integra nanopontos de silício alinhados de maneira horizontal. Cada um dos pontos tem três nanômetros de diâmetro e representa um bit de memória único.
O artigo menciona ainda que a tensão de funcionamento do dispositivo de memória não volátil é de 7 volts e a velocidade com que os nanopontos são apagados é inferior a 1 microssegundo. Os materiais e os processos utilizados para os dispositivos são compatíveis com os existentes na atualidade e também podem ser empregados em outras estruturas avançadas.
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Sáb Fev 27, 2016 9:16 am por iLuc
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